三星拟将中国芯片工厂投资增至80亿美元 提高芯片产量
发布时间:2025-05-07 08:53:56 作者:玩站小弟
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导读:据外媒报道,三星电子公司拟将在中国芯片工厂的投资增加到80亿美元,以提高NAND闪存芯片产量。12月13日消息,据外媒报道,三星电子公司拟将在中国芯片工厂的投资增加到80亿美元,以提高NAND闪
埃塞俄比亚交友数据。
导读:据外媒报道,星拟芯片三星电子公司拟将在中国芯片工厂的将中投资增加到80亿美元,以提高NAND闪存芯片产量。国芯

12月13日消息,片工埃塞俄比亚交友数据据外媒报道,厂投产量三星电子公司拟将在中国芯片工厂的资增至亿埃及源头数据投资增加到80亿美元,以提高NAND闪存芯片产量。美元
三星增加投资正值内存芯片价格有望于明年反弹之际,提高由于供应有限,星拟芯片市场对5G设备和网络的将中需求也在不断上升。三星是国芯全球最大的NAND闪存芯片制造商,这类芯片可以可用于移动设备、片工存储卡、厂投产量埃及币圈数据U盘和固态硬盘中。资增至亿
2017年,美元三星宣布将在三年内向位于西安的埃及办公数据NAND闪存芯片工厂投资70亿美元。在这些投资进行之前,该公司曾向西安的一家测试和包装工厂投资108亿美元。三星对此拒绝置评。埃及车主数据
三星在NAND闪存领域的竞争对手包括韩国SK海力士(SK Hynix)和美国美光科技(Micron Technology)以及日本东芝,几家中国企业也正试图进入内存领域,但它们至今尚未取得太大成功,还不足以与这些巨头竞争。
今年秋季,长江存储科技有限责任公司(YMTC)宣布,将开始大规模生产64层3D NAND芯片,这是多数领先行业企业遵循的基准。

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2017年,美元三星宣布将在三年内向位于西安的埃及办公数据NAND闪存芯片工厂投资70亿美元。在这些投资进行之前,该公司曾向西安的一家测试和包装工厂投资108亿美元。三星对此拒绝置评。埃及车主数据
三星在NAND闪存领域的竞争对手包括韩国SK海力士(SK Hynix)和美国美光科技(Micron Technology)以及日本东芝,几家中国企业也正试图进入内存领域,但它们至今尚未取得太大成功,还不足以与这些巨头竞争。
今年秋季,长江存储科技有限责任公司(YMTC)宣布,将开始大规模生产64层3D NAND芯片,这是多数领先行业企业遵循的基准。
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